2N6067

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2N6067
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G
8566
MOT
CAN
15+
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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92

2N6067 技術(shù)參數(shù)

2N6059 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N6058 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N6055 功能描述:TRANS NPN 60V 8A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 80mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 4A，3V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N6052G 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 120mA，12A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 6A，3V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N6052 功能描述:TRANS PNP 100V 12A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 120mA，12A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 6A，3V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N6076 2N6076_D26Z 2N6076_D27Z 2N6076_D75Z 2N6099 2N6107 2N6107G 2N6109 2N6109G 2N6111 2N6111G 2N6123 2N6191 2N6192 2N6193 2N6193U3 2N6212 2N6213