1N827JV

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1N827JV 技術(shù)參數(shù)

1N827AUR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N827AUR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N827A (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N827A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N827-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N914 1N914_S00Z 1N914_T26A 1N914_T50A 1N914_T50R 1N914A 1N914A_T50R 1N914ATR 1N914B 1N914B A0G 1N914B,113 1N914B_S00Z 1N914B_S62Z 1N914B_T50A 1N914B_T50R 1N914B-TP 1N914BTR 1N914BTR_S00Z