1N821ATR

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " 1N821ATR " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： 1N821AUR 1N821AUR-1 1N821UR-1 1N822 1N823 1N823-1 1N823A 1N823AUR 1N823AUR-1

1N821ATR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

1N821ATR PDF下載

制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated

1N821ATR 技術(shù)參數(shù)

1N821A, SEL. 1% VBR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N821A (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N821A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N821-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N821 功能描述:DIODE ZENER DO35 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N823UR-1 1N824 1N824-E3 1N825 1N825 (DO35) 1N825-1 1N825A 1N825A (DO35) 1N825AUR 1N825AUR-1 1N825UR-1 1N826 1N827 1N827-1 1N827A 1N827A (DO35) 1N827AUR 1N827AUR-1