1N5614BK

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1N5614BK 技術(shù)參數(shù)

1N5614 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5613 功能描述:C-BODY 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5611 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5610 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:30.5V 電壓 - 擊穿（最小值）:33V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:G，軸向供應(yīng)商器件封裝:G，軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5558 功能描述:TVS DIODE 175VWM 265VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:175V 電壓 - 擊穿（最小值）:191V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:265V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.7A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應(yīng)商器件封裝:DO-13 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5615US/TR 1N5616 1N5616C.TR 1N5616US 1N5617 1N5617C.TR 1N5617GP-E3/54 1N5617GP-E3/73 1N5617GPHE3/54 1N5617US 1N5618 1N5618GP-E3/54 1N5618GPHE3/54 1N5618US 1N5619 1N5619GP-E3/54 1N5619GP-E3/73 1N5619GPHE3/54