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1N4757 1W-51V

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1N4757 1W-51V 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4756PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):47V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N4756PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):47V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N4756P/TR8 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):47V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N4756P/TR12 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):47V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N4756G R0G 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4757A_T50A 1N4757A_T50R 1N4757AE3/TR13 1N4757AHA0G 1N4757AHB0G 1N4757AHR0G 1N4757AHR1G 1N4757AP/TR12 1N4757AP/TR8 1N4757APE3/TR12 1N4757APE3/TR8 1N4757A-T 1N4757ATA 1N4757A-TAP 1N4757A-TP 1N4757A-TR 1N4757AUR 1N4757CE3/TR13
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