1N4756G

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 1W,47V,5%,ZENER
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N4756G 技術參數(shù)

1N4756E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4756CPE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,500 1N4756CPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 1N4756CP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,500 1N4756CP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 1N4757A B0G 1N4757A BK 1N4757A G 1N4757A R0G 1N4757A R1G 1N4757A TR 1N4757A_T50A 1N4757A_T50R 1N4757AE3/TR13 1N4757AHA0G 1N4757AHB0G 1N4757AHR0G 1N4757AHR1G 1N4757AP/TR12 1N4757AP/TR8 1N4757APE3/TR12 1N4757APE3/TR8 1N4757A-T