1N4448-B

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N4448-B
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
RECTRON
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1N4448-B
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業(yè)執(zhí)照
256
Rectron
標準封裝
23+
-
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功能描述
二極管 - 通用，功率，開關 Vr/75V If/500mA BULK
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
產品
Switching Diodes
峰值反向電壓
600 V
正向連續(xù)電流
200 A
最大浪涌電流
800 A
配置
恢復時間
2000 ns
正向電壓下降
1.25 V
最大反向漏泄電流
300 uA
最大功率耗散
工作溫度范圍
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
ISOTOP
封裝
Tube

1N4448-B 技術參數(shù)

1N4448-A 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結束二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10,000 1N4448_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10,000 1N4448_T50A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4448_T26A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4448_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 1N4448TR_S00Z 1N4448W RHG 1N4448W-7 1N4448W-7-F 1N4448W-E3-08 1N4448W-E3-18 1N4448W-G3-08 1N4448W-G3-18 1N4448W-HE3-08 1N4448W-HE3-18 1N4448WQ-7-F 1N4448WS 1N4448WS RRG 1N4448WS-7 1N4448WS-7-F 1N4448WS-E3-08 1N4448WS-E3-18 1N4448WSF-7