10A02-TDI

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10A02-TDI 技術參數

10A02-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:150pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 10A01-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 10A R-6 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:150pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 10A01-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:150pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 10A015 功能描述:TRANS RF BIPO 6W 750MA 55FT2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:24V 頻率 - 躍遷:2.7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:9dB ~ 9.5dB 功率 - 最大值:6W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:750mA 工作溫度:200°C（TJ）安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:55FT 供應商器件封裝:55FT 標準包裝:1 10A009 功能描述:XFRMR LAMINATED THRU HOLE 制造商:tamura 系列:- 零件狀態(tài):有效類型:疊片核心電壓 - 初級:230V 電壓 - 次級（滿負載）:10V 電流 - 輸出（最大值）:50mA 初級繞組:單一次級繞組:單，多抽頭中心抽頭:是功率 - 最大值:- 安裝類型:通孔端子類型:PC 引腳大小/尺寸:29.46mm 長 x 28.45mm 寬高度 - 安裝（最大值）:27.94mm 電壓 - 隔離:4000Vrms 標準包裝:50 10AS016C3U19I2LG 10AS016C3U19I2SG 10AS016C4U19E3LG 10AS016C4U19E3SG 10AS016C4U19I3LG 10AS016C4U19I3SG 10AS016E3F27E1HG 10AS016E3F27E1SG 10AS016E3F27E2LG 10AS016E3F27E2SG 10AS016E3F27I1HG 10AS016E3F27I1SG 10AS016E3F27I2LG 10AS016E3F27I2SG 10AS016E3F29E1HG 10AS016E3F29E1SG 10AS016E3F29E2LG 10AS016E3F29E2SG