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IRG4PSC71UDPBF

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
IRG4PSC71UDPBF PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
IRG4PSC71UDPBF 技術參數(shù)
  • IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):270 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):128nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2980pF @ 25V 功率 - 最大值:220W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):85 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):158nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 2.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRG4RC10KD IRG4RC10KDPBF IRG4RC10KDTRPBF IRG4RC10KPBF IRG4RC10KTR IRG4RC10KTRL IRG4RC10KTRR IRG4RC10SD IRG4RC10SDPBF IRG4RC10SDTRLP IRG4RC10SDTRPBF IRG4RC10SDTRRP IRG4RC10SPBF IRG4RC10STR IRG4RC10STRL IRG4RC10STRRPBF IRG4RC10UD IRG4RC10UDPBF
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