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配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

IXHX40N150V1HV
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

IXHX40N150V1HV
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
50
IXYS
管件
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

IXHX40N150V1HV
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
26008
IXYS/艾賽斯
TO-247 PLUS-HV
24+
-
原裝正品華強(qiáng)現(xiàn)貨

IXHX40N150V1HV
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號(hào)樓603室
30
IXYS
N/A ㊣品
N/A 原裝進(jìn)口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

IXHX40N150V1HV
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
30
IXYS
主營優(yōu)勢(shì)
19+
-
100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

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IXHX40N150V1HV PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

IXHX40N150V1HV 技術(shù)參數(shù)

IXH611S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXH611S1 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IXH611P1 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8PDIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IXI-P041205 IXI-P041259 IXI-P042702 IXJ611P1 IXJ611S1 IXJ611S1T/R IXK611P1 IXK611S1 IXK611S1T/R IXKC13N80C IXKC15N60C5 IXKC19N60C5 IXKC20N60C IXKC23N60C5 IXKC25N80C IXKC40N60C IXKF40N60SCD1 IXKG25N80C