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IXDN630MYI
中山市翔美達電子科技有限公司
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聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
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TI
SOP
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全新原裝正品現(xiàn)貨,QQ:15305808...

IXDN630MYI
北京首天偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
IXYS Integrated Circuits
標準封裝
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-
假一罰十

IXDN630MYI
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
4685
IXYS INTE
TUBE
1521+
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全新原裝現(xiàn)貨

IXDN630MYI
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
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IXYS Integrated Circuits
TO-263-6，D²Pak（
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IXDN630MYI
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
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聯(lián)系人：銷售部：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業(yè)執(zhí)照
369
IXYS Integrated Circuits
TO-263-5
23+
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真實的資源竭誠服務您！

IXDN630MYI
萬三科技（深圳）有限公司
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聯(lián)系人：王俊杰
電話：188185984650755-23763516
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
IXYS Integrated Circuits
原廠原裝
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萬三科技秉承原裝實單可議

1/1頁 40條/頁共19條
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您是不是要找： IXDN630YI IXDN75N120 IXDP20N60B IXDP20N60BD1 IXDP35N60B IXDP610PI IXDP630PI IXDP631PI IXDR30N120

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功能描述
功率驅動器IC 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A
RoHS
否
制造商
Micrel
產品
MOSFET Gate Drivers
類型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升時間
下降時間
電源電壓-最大
30 V
電源電壓-最小
2.75 V
電源電流
最大功率耗散
最大工作溫度
+ 85 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8
封裝
Tube

IXDN630MYI 技術參數(shù)

IXDN630MCI 功能描述:功率驅動器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN630CI 功能描述:功率驅動器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN614YI 功能描述:14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 IXDN614SITR 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INVERTING RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 IXDN614SI 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INVERTING RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 IXDR30N120D1 IXDR35N60BD1 IXDR502D1B IXDS430SI IXDS502D1B IXDT30N120 IXE611P1 IXE611S1 IXE611S1T/R IXEH25N120 IXEH25N120D1 IXEH40N120 IXEH40N120D1 IXEL40N400 IXEN60N120 IXEN60N120D1 IXER35N120D1 IXER60N120