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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256800AF-37 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 11/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 1246K |
| 代理商： | HYB18T256800AF-37 |
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HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 11 Rev. 1.02 May 2004
Block Diagram 8Mbit x 8 I/O x 4 Internal Memory Banks
(32Mb x 8 Organisation with 13 Row, 2 Bank and 10 Column External Addresses)
RAS
AP
CAS
CK
CS
WE
CK
C
Column-Address
Counter/Latch
Mode
Registers
10
C
D
A0-A12,
BA0, BA1
CKE
15
I/O Gating
DM Mask Logic
Bank0
Memory
Array
(8192x256x32)
Sense Amplifiers
Bank1Bank2
Bank3
15
8
2
2
2
R
32
COL0,1
DQ0-DQ7,
DM
DQS
DQS
Column
Decoder
(256
R
1
8
B
R
&
8192
A
B
15
R
1
DQS
DQS
CK, CK
DLL
8
8
8
8
8
Input
Register
1
1
1
1
1
32
4
32
Data
Mask
Data
CK,
CK
COL0,1
COL0,1
M
DQS
Generator
1
1
8
32
R
Write
FIFO
Dri&
D
1
1
8
8
8
8
8
8
8
8
15
Note:
This Functional Block Diagram is intended to facilitate user understanding of the operation of
the device; it does not represent an actual circuit implementation.
Note:
DM is a unidirectional signal (input only), but is internally loaded to match the load of the bidi-
rectional DQ and DQS signals.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256800AF-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AF-5 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256324F-16 | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| HYB18T256324F-20 | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| HYB18T256324F-22 | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
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