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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU561622AT-L |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M-S DDR SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 10/36頁 |
| 文件大小： | 374K |
| 代理商： | HY5DU561622AT-L |
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Rev. 0.4/ May. 02 10
HY5DU56422A(L)T
HY5DU56822A(L)T
HY5DU561622A(L)T
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS, /CAS, /WE
DM
ADD
R
A10/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1
Note :
1.
Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related
with read data. In case of x16 data I/O, LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15)
respectively.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU56422ALT-H | 256M-S DDR SDRAM |
| HY5DU56422ALT-J | 256M-S DDR SDRAM |
| HY5DU56422ALT-K | 256M-S DDR SDRAM |
| HY5DU56422ALT-L | 256M-S DDR SDRAM |
| HY5DU56422ALT-M | 256M-S DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU561622AT-M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-S DDR SDRAM |
| HY5DU561622CT-D | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU561622CT-D4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU561622CT-D43 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU561622CTP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M(16Mx16) gDDR SDRAM |
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