參數(shù)資料
型號(hào)： HY57V561620AT-8
英文描述： x16 SDRAM
中文描述： x16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： HY57V561620AT-8
HY57V281620A
Rev. 1.3/Aug. 01
8
AC CHARACTERISTICS I
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.Assume tR / tF (input rise and fall time ) is 1ns
If tR & tF > 1ns, then [(tR+tF)/2-1]ns should be added to the parameter
2.Access times to be measured with input signals of 1v/ns edge rate, from 0.8v to 2.0v
If tR > 1ns, then (tR/2-0.5)ns should be added to the parameter
Parameter
Symbol
-6
-7
-K
-H
-8
-P
-S
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
System Clock
Cycle Time
CAS Latency = 3
tCK3
6
1000
7
1000
7.5
1000
7.5
1000
8
1000
10
1000
10
1000
ns
CAS Latency = 2
tCK2
10
10
7.5
10
10
10
12
ns
Clock High Pulse Width
tCHW
2.5
-
2.5
-
2.5
-
2.5
-
3
-
3
-
3
-
ns
1
Clock Low Pulse Width
tCLW
2.5
-
2.5
-
2.5
-
2.5
-
3
-
3
-
3
-
ns
1
Access Time
From Clock
CAS Latency = 3
tAC3
-
5.4
-
5.4
-
5.4
-
5.4
-
6
-
6
-
6
ns
2
CAS Latency = 2
tAC2
-
6
-
6
-
5.4
-
6
-
6
-
6
-
6
ns
Data-Out Hold Time
tOH
2.7
-
2.7
-
2.7
-
2.7
-
3
-
3
-
3
-
ns
Data-Input Setup Time
tDS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
Data-Input Hold Time
tDH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
Address Setup Time
tAS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
Address Hold Time
tAH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
CKE Setup Time
tCKS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
CKE Hold Time
tCKH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
Command Setup Time
tCS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
Command Hold Time
tCH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
CLK to Data Output in Low-Z Time
tOLZ
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
ns
CLK to Data
Output in High-Z
Time
CAS Latency = 3
tOHZ3
2.7
5.4
2.7
5.4
2.7
5.4
2.7
5.4
3
6
3
6
3
6
ns
CAS Latency = 2
tOHZ2
2.7
5.4
2.7
5.4
2.7
5.4
3
6
3
6
3
6
3
6
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V561620AT-H x16 SDRAM
HY57V561620AT-P x16 SDRAM
HY57V561620AT-S x16 SDRAM
HY57V561620BLT 16Mx16|3.3V|8K|K|SDR SDRAM - 256M
HY57V561620BLT-I 16Mx16|3.3V|8K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY57V561620AT-H 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V561620AT-P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V561620AT-S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V561620B 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620BLT 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx16|3.3V|8K|K|SDR SDRAM - 256M
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*