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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V161610ET-10 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | HY57V161610ET-10 |
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HY57V161610E
Rev. 0.2 / Aug. 2003
13
PACKAGE INFORMATION
400mil 50pin Thin Small Outline Package (TC)
1Mx16 Synchronous DRAM UNIT : mm(inch)
10.059(0.3960)
10.262(0.4040)
11.735(0.4620)
11.938(0.4700)
0.150(0.0059)
0.050(0.0020)
21.057(0.8290)
20.879(0.8220)
0.646 REF
1.2(0.0472)
1.0(0.0394)
0.8(0.0315 BSC)
0.45(0.0177)
0.30(0.0118)
0~5deg
GAGE PLANE
0.597(0.0235)
0.406(0.0160)
0.210(0.0083)
0.120(0.0118)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V161610ET-15 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-5 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-55 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V281620A | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620ALT-PI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V161610ET-10I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-15I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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