| 型號: | HN7107CM44 |
| 英文描述: | 針對國產(chǎn)(中文資料) |
| 中文描述: | 針對國產(chǎn)(中文資料) |
| 文件頁數(shù): | 1/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 879K |
| 代理商: | HN7107CM44 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN7107CPL | 針對國產(chǎn) (英文資料) |
| HN7G01FE | Power Management Switch Applications |
| HN7G01FU | TOSHIBA Multi Chip Discrete Device |
| HN7G02FE | Power Management Switch Applications, Inverter Circuit |
| HN7G02FU | TOSHIBA Multi Chip Discrete Device |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN79LZ120 | 制造商:CARCOR 功能描述: 制造商:CARRIER CORPORATION DIV C 功能描述: |
| HN7G01FE | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch Applications |
| HN7G01FE-A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N Ic=-400mA Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| HN7G01FE-A(TE85L,F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| HN7G01FU | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Multi Chip Discrete Device |