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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29WT800T-10 |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 2/43頁 |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | HN29WT800T-10 |
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HN29W12811BP Series
2
Erase mode
Single sector erase ((2048 + 64) byte unit)
Fast serial read access time:
First access time: 50
μ
s (max)
Serial access time: 60 ns (max)
Low power dissipation:
I
CC2
= 40 mA (max) (Read)
I
SB2
= 50
μ
A (max) (Standby)
I
CC3
/I
CC4
= 40 mA (max) (Erase/Program)
I
SB3
= 5
μ
A (max) (Deep standby)
The following architecture is required for data reliability.
Error correction: more than 1-bit error correction per each sector read
Spare sectors: 1.8% (145 sectors) within usable sectors
Ordering Information
Type No.
Available sector
Package
HN29W12811BP-60
More than 8,029 sectors
72-bump 0.8 mm ball pitch CSP (TBP-72A)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29WT800T-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800T-8 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN2A01FUGR | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
| HN2A01FUY | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
| HN2A01FU | PNP EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29WT800T-12 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:8MB CMOS FLASH DINOR 1M*8 3.3V |
| HN29WT800T-8 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN2A01FE | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
| HN2A01FE-GR(TE85LF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 |
| HN2A01FE-Y(TE85L,F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 |
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