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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5117805LJ-6 |
| 廠(chǎng)商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 497K |
| 代理商： | HM5117805LJ-6 |
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EO rdc
HM5117805 Series
Data Sheet E0156H10
5
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Voltage on any pin relative to V
SS
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
T
V
CC
Iout
–1.0 to +7.0
V
–1.0 to +7.0
V
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
1.0
W
Operating temperature
0 to +70
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +125
°C
Recommended DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +70°C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Supply voltage
V
CC
V
IH
V
IL
4.5
5.0
5.5
V
1
Input high voltage
2.4
—
6.5
V
1
Input low voltage
Note:
1. All voltage referred to V
SS
.
–1.0
—
0.8
V
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5117805LJ-7 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5118160BLJ-6 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM5118160BLJ-7 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM5118160BLJ-8 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM5118160BTT-6 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5117805LJ-7 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LS-5 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LS-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LS-7 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-5 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
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