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參數資料
| 型號： | HE7601SG |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | HE7601SG |
HE7601SG
GaAlAs Infrared Emitting Diode
ADE-208-996 (Z)
1st Edition
Dec. 2000
Description
The HE7601SG is a 770 nm band GaAlAs infrared emitting diode with a double heterojunction structure.
It is suitable as a light source for optical control devices and sensors.
Features
High efficiency and high output power
1
Internal Circuit
Package Type
HE7601SG: SG1
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HE8000 | ASIC |
| HE82005(S) | |
| HE82006(S) | |
| HE82015(S) | |
| HEATSINK | Heatsink Selection for Low-Dropout Regulators (29k) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HE7601SG_06 | 制造商:OPNEXT 制造商全稱:OPNEXT 功能描述:GaAlAs Infrared Emitting Diode |
| HE761 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:VGC Amplifier |
| HE762 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:VGC Amplifier |
| HE771 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:Reverse Isolation Amplifier |
| HE772 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:Reverse Isolation Amplifier |
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