參數(shù)資料
型號(hào)： HCT259
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： Zener Diode; Zener Voltage Typ, Vz:2.7V; Vz Test Current, Izt:20mA; Power Dissipation, Pd:500mW; Package/Case:DO-35; Breakdown Voltage Max:2.7V; Forward Current:200A; Leakage Current Max:100uA; Mounting Type:Through Hole
中文描述： 8位可尋址鎖存器
文件頁(yè)數(shù)： 7/20頁(yè)
文件大?。?/td> 95K
代理商： HCT259
2000 Mar 14
7
Philips Semiconductors
Product specification
8-bit addressable latch
74AHC259;
74AHCT259
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134); voltages are referenced to GND (ground = 0 V).
Notes
1.
2.
The input and output voltage ratings may be exceeded if the input and output current ratings are observed.
For SO packages: above 70
°
C the value of P
D
derates linearly with 8 mW/K.
For TSSOP packages: above 60
°
C the value of P
D
derates linearly with 5.5 mW/K.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
74AHC
74AHCT
UNIT
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
V
CC
V
I
V
O
T
amb
DC supply voltage
input voltage
output voltage
operating ambient temperature
2.0
0
0
40
40
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
+125
4.5
0
0
40
40
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
+125
V
V
V
°
C
°
C
see DC and AC
characteristics
per device
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5
±
0.5 V
t
r
, t
f
input rise and fall ratios (
t/
f)
100
20
20
ns/V
ns/V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
0.5
0.5
65
MAX. UNIT
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
stg
P
D
DC supply voltage
input voltage
DC input diode current
DC output clamping diode current
DC output sink current
DC V
CC
or GND current
storage temperature
power dissipation per package
+7.0
+7.0
20
±
20
±
25
±
75
+150
500
V
V
mA
mA
mA
mA
°
C
mW
V
I
<
0.5 V; note 1
V
O
<
0.5 Vor V
O
> V
CC
+ 0.5 V; note 1
0.5 V < V
O
< V
CC
+ 0.5 V
for temperature range:
40 to +125
°
C; note 2
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