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參數(shù)資料
| 型號： | GS71024U-9 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 64K x 24 1.5Mb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 64K的× 24即：1.5MB異步SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 10/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 278K |
| 代理商： | GS71024U-9 |
GS71024T/U
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 11/2004
6/13
1999, GSI Technology
AC Characteristics
* These parameters are sampled and are not 100% tested
Read Cycle 1: CE = OE = VIL, WE = VIH
Read Cycle
Parameter
Symbol
-8
-9
-10
-12
-15
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read cycle time
tRC
8—9—
10
—
12
—
15
—
ns
Address access time
tAA
—8—9—
10
—
12
—
15
ns
Chip enable access time (CE1, CE2)
tAC
—8—9—
10
—
12
—
15
ns
MUX control to output valid (V/S)
tAV
—8—9—
10
—
12
—
15
ns
Output enable to output valid (OE)
tOE
—4—
4.5
—5—6—7
ns
Output hold from address change
tOH
3—3—3—3—3—
ns
Output hold from MUX controls change
tOH1
3—3—3—3—3—
ns
Chip enable to output in low Z (CE1, CE2)
tLZ*
3—3—3—3—3—
ns
Output enable to output in low Z (OE)
tOLZ*
0—0—0—0—0—
ns
Chip disable to output in High Z (CE1, CE2)
tHZ*
—4—
4.5
—5—6—7
ns
Output disable to output in High Z (OE)
tOHZ*
—4—
4.5
—5—6—7
ns
tAA
tOH
tRC
Address
Data Out
Previous Data
Data valid
tOH1
tAV
V/S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS71024U-9I | 64K x 24 1.5Mb Asynchronous SRAM |
| GS78132GB-15T | 256K X 32 STANDARD SRAM, 15 ns, PBGA119 |
| GS81302QT07E-333 | 16M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS81302TT07E-333IT | 16M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS81302TT07GE-333I | 16M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS71024U-9I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 24 1.5Mb Asynchronous SRAM |
| GS71108AGJ-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128K x 8 1Mb Asynchronous SRAM |
| GS71108AGJ-10I | 制造商:GSI Technology 功能描述:1MB ASYNCH SRAM 128K X 8 10NS SMD |
| GS71108AGJ-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128K x 8 1Mb Asynchronous SRAM |
| GS71108AGJ-12I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128K x 8 1Mb Asynchronous SRAM |
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