GP1M008A025CG

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GP1M008A025CG 技術(shù)參數(shù)

GP1M007A090H 功能描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.9 歐姆 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:49nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1969pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M007A090FH 功能描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.9 歐姆 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:49nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1969pF @ 25V 功率 - 最大值:40.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M007A065CG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 3.25A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1201pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M006A070FH 功能描述:MOSFET N-CH 700V 5A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.65 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:39W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M006A065FH 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 2.75A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1177pF @ 25V 功率 - 最大值:39W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M009A020CG GP1M009A020FG GP1M009A020HG GP1M009A020PG GP1M009A050FSH GP1M009A050HS GP1M009A060FH GP1M009A060H GP1M009A070F GP1M009A090FH GP1M009A090H GP1M009A090N GP1M010A060FH GP1M010A060H GP1M010A080FH GP1M010A080H GP1M010A080N GP1M011A050FH