參數(shù)資料
型號： FZ1200R33KF2C-B5
廠商： EUPEC
英文描述： SANYO IC 15-PIN SIP
中文描述： IGBT的- Wechselrichter / IGBT的逆變器
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 253K
代理商： FZ1200R33KF2C-B5
4
Technische Information / technical information
FZ1200R33KF2C
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 3/18/2003
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I = f (V)
V = 15 V
V [V]
I
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
2400
2000
1600
1200
800
400
0
TY = 25°C
TY = 125°C
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I = f (V)
TY = 125°C
V [V]
I
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
2400
2000
1600
1200
800
400
0
V = 20V
V = 15V
V = 12V
V = 10V
V = 9V
V = 8V
übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I = f (V)
V = 20 V
V [V]
I
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2400
2000
1600
1200
800
400
0
TY = 25°C
TY = 125°C
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
Eóò = f (I), Eó = f (I)
V = ±15 V, Róò = 0,91 , Ró = 1,2 , V = 1800
V, TY = 125°C, C = 220 nF
I [A]
E
0
300
600
900
1200 1500 1800 2100 2400
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
Eóò
Eó
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZ1200R33KF2C IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZT458 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZT489 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:11; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
FZT493 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:30; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
FZT549 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZ1200R33KL2 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KL2C 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R33KL2C_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1200R33KL2C-B5 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R45HL3 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*