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PDF目錄375881
> FQU19N10L (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 100V LOGIC N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
型號(hào):
FQU19N10L
廠商:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類:
JFETs
英文描述:
100V LOGIC N-Channel MOSFET
中文描述:
15.6 A, 100 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝:
ROHS COMPLIANT, IPAK-3
文件頁(yè)數(shù):
7/9頁(yè)
文件大?。?/td>
623K
代理商:
FQU19N10L
第1頁(yè)
第2頁(yè)
第3頁(yè)
第4頁(yè)
第5頁(yè)
第6頁(yè)
當(dāng)前第7頁(yè)
第8頁(yè)
第9頁(yè)
F
Rev. A, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
±
0.30
0
±
0
0
±
0
0
±
0
9
±
0
6
±
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2
±
0
9
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0
6
±
0
2
±
0
M
0.76
±
0.10
0.50
±
0.10
1.02
±
0.20
2.30
±
0.20
6.60
±
0.20
(5.34)
(5.04)
0.76
±
0.10
(1.50)
(2XR0.25)
0
±
0
(
(
(
(
(
0
±
0
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD19N10
100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V、漏電流為5.6A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQU19N10
100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V、漏電流為5.6A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQD1N50B
500V N-Channel MOSFET
FQD1N50
500V N-Channel MOSFET
FQU1N50
500V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQU19N10LTU
功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU19N10TU
功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU1N50
制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQU1N50B
制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQU1N50BTU
功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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