參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT494
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 144K
代理商： FMMT494
SOT23 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995
%
PARTMARKING DETAIL
494
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
140
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
120
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5
V
Continuous Collector Current
I
C
1
A
Peak Pulse Current
I
CM
2
A
Base Current
I
B
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
500
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Breakdown Voltages
V
(BR)CBO
140
V
I
C
=100
μ
A
V
CEO(sus)
120
V
I
C
=10mA*
I
E
=100
μ
A
V
(BR)EBO
5
V
Collector Cut-Off Currents
I
CBO
100
nA
V
CB
=120V
I
CES
100
nA
V
CE
=120V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
100
nA
V
EB
=4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.2
0.3
V
V
I
C
=250mA, I
B
=25mA*
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.1
V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
1.0
V
I
C
=500mA, V
CE
=10V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
100
100
60
20
300
I
C
=1mA, V
=10V*
I
C
=250mA, V
CE
=10V*
I
C
=500mA, V
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
Transition Frequency
f
T
100
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Collector-Base
Breakdown Voltage
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
C
obo
10
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
FMMT494
C
B
E
3 - 121
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PDF描述
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