參數(shù)資料
型號(hào)： FJC1963
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： FJC1963
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, August 2002
F
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Power Derating
0
2
4
6
8
10
12
14
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
I
B
= 6mA
I
B
= 1mA
I
B
= 7mA
I
B
= 5mA
I
B
= 4mA
I
B
= 3mA
I
B
= 2mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
10m
100m
1
10
10
100
1000
V
CE
= 2V
Ta = 25
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = - 40
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
10m
100m
1
10
1m
10m
100m
1
10
Ta = - 40
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = 125
o
C
I
C
= 10I
B
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
10m
100m
1
10
100m
1
10
I
C
= 10I
B
Ta = 125
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = - 40
o
C
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
- 40
o
C
25
o
C
125
o
C
V
CE
= 2V
I
C
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
P
C
T
a
[
o
C], AMIBIENT TEMPERATURE
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