參數(shù)資料
型號: FF50R10KF2
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1KV交五(巴西)國際消費電子展| 50A條一(c)|米:HL080HD5.3
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代理商: FF50R10KF2
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF75R10KF2 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL080HD5.3
FF500R25KF1 IGBT Module
FGA0150 Gate Array
FGA0200 Gate Array
FGA0600 Gate Array
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FF50R10KN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
FF50R12KF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
FF50R12KF2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
FF50R12KL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
FF50R12RT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: