正品快恢復二極管 rs1m(fr107)

品牌 mic/toshiba 型號 rs1m
應用范圍 快速關斷(階躍恢復) 結(jié)構(gòu) 平面型
材料 硅(si) 封裝形式 貼片型
封裝材料 塑料封裝 功率特性 中功率
頻率特性 高頻 正向工作電流 1(a)
最高反向電壓 1200(v)

反向恢復時間tr的定義是:電流通過零點由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標。反向恢復電流的波形如圖1所示。if為正向電流,irm為最大反向恢復電流。irr為反向恢復電流,通常規(guī)定irr=0.1irm。當t≤t0時,正向電流i=if。當t>t0時,由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓,因此正向電流迅速降低,在t=t1時刻,i=0。然后整流器件上流過反向電流ir,并且ir逐漸增大;在t=t2時刻達到最大反向恢復電流irm值。此后受正向電壓的作用,反向電流逐漸減小,并在t=t3時刻達到規(guī)定值irr。從t2到t3的反向恢復過程與電容器放電過程有相似之處。

  20a以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用to-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管、對管(亦稱雙管)兩種。對管內(nèi)部包含兩只快恢復二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是c20-04型快恢復二極管(單管)的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是c92-02型(共陰對管)、mur1680a型(共陽對管)超快恢復二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用to-220塑料封裝,

  幾十安的快恢復二極管一般采用to-3p金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。

編輯本段檢測方法

1)測量反向恢復時間

  測量電路如圖3。由直流電流源供規(guī)定的if,脈沖發(fā)生器經(jīng)過隔直電容器c加脈沖信號,利用電子示波器觀察到的trr值,即是從i=0的時刻到ir=irr時刻所經(jīng)歷的時間。設器件內(nèi)部的反向恢電荷為qrr,有關系式:

  trr≈2qrr/irm (5.3.1)

  由式(5.3.1)可知,當irm為一定時,反向恢復電荷愈小,反向恢復時間就愈短。

2)常規(guī)檢測方法

  在業(yè)余條件下,利用萬用表能檢測快恢復、超快恢復二極管的單向?qū)щ娦?,以及?nèi)部有無開路、短路故障,并能測出正向?qū)▔航怠H襞湟哉讱W表,還能測量反向擊穿電壓。實例:測量一只c90-02超快恢復二極管,其主要參數(shù)為:trr=35ns,id=5a,ifsm=50a,vrm=700v。外型同圖(a)。將500型萬用表撥至r×1檔,讀出正向電阻為6.4ω,n′=19.5格;反向電阻則為無窮大。進一步求得vf=0.03v/格×19.5=0.585v。證明管子是好的。

編輯本段注意事項

  1)有些單管,共三個引腳,中間的為空腳,一般在出廠時剪掉,但也有不剪的。

  2)若對管中有一只管子損壞,則可作為單管使用。

  3)測正向?qū)▔航禃r,必須使用r×1檔。若用r×1k檔,因測試電流太小,遠低于管子的正常工作電流,故測出的vf值將明顯偏低。在上面例子中,如果選擇r×1k檔測量,正向電阻就等于2.2kω,此時n′=9格。由此計算出的vf值僅0.27v,遠低于正常值(0.6v)。

編輯本段肖特基二極管和快恢復二極管的區(qū)別

  快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用pn結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進的pin結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2v),反向耐壓多在1200v以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數(shù)百納秒或更長,后者則在100納秒以下。

  肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管,簡稱肖特基二極管(schottky barrier diode),具有正向壓降低(0.4--0.5v)、反向恢復時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150v,多用于低電壓場合。

  這兩種管子通常用于開關電源。

  肖特基二極管和快恢復二極管區(qū)別:前者的恢復時間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復時間大約為幾納秒~

  前者的優(yōu)點還有低功耗,大電流,超高速~電氣特性當然都是二極管阿~

  快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件.

  肖特基二極管:反向耐壓值較低40v-50v,通態(tài)壓降0.3-0.6v,小于10ns的反向恢復時間。它是具有肖特基特性的“金屬半導體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵,多為n型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的pn結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為rc時間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100ghz。并且,mis(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來太陽能電池或發(fā)光二極管。

  快恢復二極管:有0.8-1.1v的正向?qū)▔航担?5-85ns的反向恢復時間,在導通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換,提高了器件的使用頻率并改善了波形??旎謴投O管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件.