| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| PMGD780SN,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V SOT363 | 5,419 | 1:$0.48000 10:$0.37800 25:$0.31880 100:$0.25990 250:$0.21528 500:$0.17784 1,000:$0.13320 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 490mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 920 毫歐 @ 300mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 1.05nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 23pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 410mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應商設備封裝: | 6-TSSOP |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |