分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIA778DJ-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIA778DJ-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIA778DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 1,053 1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SIA778DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 0 3,000:$0.20925
6,000:$0.19575
15,000:$0.18225
30,000:$0.17213
75,000:$0.16875
150,000:$0.16200
SIA778DJ-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V，20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.5A，1.5A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 29 毫歐 @ 5A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 500pF @ 6V
功率 - 最大: 6.5W，5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-70-6 雙
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝: 剪切帶 (CT)