分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI3586DV-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI3586DV-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠(chǎng)商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI3586DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 0 3,000:$0.40600
6,000:$0.38570
15,000:$0.36975
30,000:$0.35960
75,000:$0.34800
SI3586DV-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.9A，2.1A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫歐 @ 3.4A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 1.1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 830mW
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)