分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI7964DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SI7964DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SI7964DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$1.16100
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| SI4933DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH DUAL 12V 8-SOIC |
0 |
2,500:$1.10700
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| SI4818DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
0 |
2,500:$1.10700
|
| SI4816DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
0 |
2,500:$1.10700
|
| SI4562DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC |
0 |
2,500:$1.09755
|
| SQJ844EP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$1.08000
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SI7964DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
2 個(gè) N 溝道（雙）
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
6.1A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
23 毫歐 @ 9.6A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
4.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
65nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
1.4W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
PowerPAK? SO-8 雙
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PowerPAK? SO-8 Dual
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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