分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SP8J65TB1品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SP8J65TB1 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SP8J65TB1 |
Rohm Semiconductor |
MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC |
0 |
2,500:$0.96255
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| SP8J5FU6TB |
Rohm Semiconductor |
MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC |
0 |
2,500:$0.97605
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| SP8J66TB1 |
Rohm Semiconductor |
MOSFET P-CH DUAL 30V 9A 8SOIC |
0 |
2,500:$1.12320
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SP8J65TB1 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
2 個(gè) P 溝道（雙）
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
7A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
29 毫歐 @ 7A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
2.5V @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
18nC @ 5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
1200pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
2W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-SOICN
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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