半導(dǎo)體模塊 IXBN75N170品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IXBN75N170 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IXBN75N170 IXYS IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B 0 10:$66.03000
MKI65-06A7T IXYS IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK 0 6:$66.82500
IXBN75N170 • PDF參數(shù)
類別: 半導(dǎo)體模塊
IGBT 類型: -
配置: 單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 1700V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開): 3.1V @ 15V,75A
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 145A
電流 - 集電極截止(最大): 25µA
Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies): 6.93nF @ 25V
功率 - 最大: 625W
輸入: 標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: SOT-227-4,miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-227B