分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIE822DF-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIE822DF-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIE822DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK 0 3,000:$1.28250
6,000:$1.23500
15,000:$1.18750
30,000:$1.16375
75,000:$1.14000
SIE822DF-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.4 毫歐 @ 18.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 10V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-PolarPAK?（S）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 10-PolarPAK?（S）
包裝: 帶卷 (TR)