| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| BSZ42DN25NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 | 5,000 | 5,000:$0.54690 10,000:$0.52428 25,000:$0.50989 50,000:$0.49344 |
| IPD068P03L3 G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | 4,964 | 1:$1.85000 10:$1.58400 25:$1.42600 100:$1.29380 250:$1.16184 500:$1.00340 1,000:$0.84496 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 250V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 5A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 425 毫歐 @ 2.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 13µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 5.5nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 430pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 33.8W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-PowerTDFN |
| 供應商設備封裝: | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |