| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4472DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC | 382 | 1:$2.93000 25:$2.26280 100:$2.05310 250:$1.84360 500:$1.59220 |
| SI4472DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC | 382 | 1:$2.93000 25:$2.26280 100:$2.05310 250:$1.84360 500:$1.59220 |
| SIE874DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V POLARPAK | 0 | 3,000:$1.09350 6,000:$1.05300 15,000:$1.01250 30,000:$0.99225 75,000:$0.97200 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 150V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7.7A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 45 毫歐 @ 5A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1735pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 5.9W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | Digi-Reel® |