分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD053N06N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPD053N06N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPD053N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 4,820 1:$1.82000
10:$1.56300
25:$1.40640
100:$1.27620
250:$1.14600
500:$0.98972
1,000:$0.83344
IPD053N06N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 90A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 5.3 毫歐 @ 90A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 58µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6600pF @ 30V
功率 - 最大: 115W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: 剪切帶 (CT)