分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PSMN1R6-30PL,127品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
PSMN1R6-30PL,127 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| PSMN1R6-30PL,127 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3 |
1,000 |
1,000:$1.22801
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PSMN1R6-30PL,127 • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門(mén)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
100A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
1.7 毫歐 @ 25A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
2.15V @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
212nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
12493pF @ 12V
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| 功率 - 最大: |
306W
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| 安裝類(lèi)型: |
通孔
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| 封裝/外殼: |
TO-220-3
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-220AB
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| 包裝: |
管件
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