分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BUZ31 E3046品牌、價格、PDF參數(shù)

BUZ31 E3046 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
BUZ31 E3046 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220 0
BTS113A E3064 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 0
BTS110 E3045A Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 0
BSS87 E6433 Infineon Technologies MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 0
BSS84P E6433 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 0
BSS169 E6906 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 0
BSS159N E6906 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 0
BSS139 E6906 Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 0
BUZ31 E3046 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 14.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫歐 @ 9A,5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: -
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1120pF @ 25V
功率 - 最大: 95W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-3
包裝: 帶卷 (TR)