分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PHD9NQ20T,118品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

PHD9NQ20T,118 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
PHD9NQ20T,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 200V 8.7A SOT428 0 10,000:$0.73800
BUK9611-55A,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 75A SOT404 0 4,800:$0.73190
BUK7907-55AIE,127 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 5,000 1,000:$1.51893
2,000:$1.44299
5,000:$1.42249
BUK7907-55AIE,127 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 0 5,000:$1.54304
PHD9NQ20T,118 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 400 毫歐 @ 4.5A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 959pF @ 25V
功率 - 最大: 88W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D-Pak
包裝: 帶卷 (TR)