| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| NIC9N05ATS1 | ON Semiconductor | IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE | 0 | 3,500:$1.10700 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 52V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 9A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 95 毫歐 @ 12A，12V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 100µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 7nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 250pF @ 40V |
| 功率 - 最大: | 1.74W |
| 安裝類型: | * |
| 封裝/外殼: | * |
| 供應商設(shè)備封裝: | * |
| 包裝: | * |