元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
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BSS670S2L H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 | 7,228 | 1:$0.53000 10:$0.38100 25:$0.30080 100:$0.22860 250:$0.16192 500:$0.12954 1,000:$0.09906 |
BSD316SN L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 | 5,730 | 1:$0.62000 10:$0.44500 25:$0.35160 100:$0.26700 250:$0.18912 500:$0.15130 1,000:$0.11570 |
類別: | 分離式半導體產品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 55V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 540mA |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 650 毫歐 @ 270mA,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 2.7µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 2.26nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 75pF @ 25V |
功率 - 最大: | 360mW |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應商設備封裝: | PG-SOT23-3 |
包裝: | 剪切帶 (CT) |