| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| BSZ060NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 | 5,000 | 5,000:$0.41988 10,000:$0.40252 25,000:$0.39147 50,000:$0.37884 |
| IPB023N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 | 1,000 | 1,000:$1.40000 2,000:$1.33000 5,000:$1.27500 10,000:$1.24000 25,000:$1.20000 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 25V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 12A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 6 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 9.1nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 670pF @ 12V |
| 功率 - 最大: | 2.1W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-PowerTDFN |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |