分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IRFHM830DTR2PBF品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IRFHM830DTR2PBF • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IRFHM830DTR2PBF International Rectifier MOSFET N-CH 30V 20A PQFN 800 400:$0.73853
800:$0.69753
1,200:$0.65353
2,800:$0.62533
10,000:$0.57237
40,000:$0.55229
IRFHM830DTR2PBF • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.3 毫歐 @ 20A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.35V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1797pF @ 25V
功率 - 最大: 2.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-VQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PQFN(3x3)
包裝: 帶卷 (TR)