元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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BSC360N15NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON | 0 | 5,000:$0.84851 10,000:$0.81588 25,000:$0.79956 50,000:$0.78324 |
IPB031NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | 1,987 | 1:$3.45000 10:$3.10500 25:$2.81720 100:$2.52980 250:$2.29980 500:$2.01232 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 150V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 33A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 36 毫歐 @ 25A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 45µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1190pF @ 75V |
功率 - 最大: | 74W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-PowerTDFN |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TDSON-8 |
包裝: | 帶卷 (TR) |