元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SIR846ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A SO8 | 0 | 3,000:$0.99900 6,000:$0.96200 15,000:$0.92500 30,000:$0.90650 75,000:$0.88800 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 60A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 7.8 毫歐 @ 20A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2350pF @ 50V |
功率 - 最大: | 83W |
安裝類型: | * |
封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
包裝: | 帶卷 (TR) |