分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIB488DK-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIB488DK-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIB488DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6 500 1:$0.61000
25:$0.42360
100:$0.36300
250:$0.31352
500:$0.26950
1,000:$0.20900
SIB488DK-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫歐 @ 6.3A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 725pF @ 6V
功率 - 最大: 13W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-75-6L
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SC-75-6L 單
包裝: Digi-Reel®
電子產(chǎn)品資料
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