分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI3477DV-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI3477DV-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI3477DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP 3,837 1:$0.84000
25:$0.64600
100:$0.57000
250:$0.49400
500:$0.41800
1,000:$0.33250
SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V SC-70-6 5,927 1:$0.79000
25:$0.61200
100:$0.54000
250:$0.46800
500:$0.39600
1,000:$0.31500
SI1499DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V SC-70-6 6,000 3,000:$0.24650
6,000:$0.22950
15,000:$0.22100
30,000:$0.21250
75,000:$0.20910
150,000:$0.20400
SI3477DV-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 17.5 毫歐 @ 9A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 6V
功率 - 最大: 4.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 剪切帶 (CT)