分離式半導體產(chǎn)品 SI4463BDY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI4463BDY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI4463BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC 0 2,500:$0.60667
SIS452DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK 587 1:$1.44000
25:$1.13400
100:$1.02060
250:$0.88832
500:$0.79380
1,000:$0.62370
SIS452DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK 587 1:$1.44000
25:$1.13400
100:$1.02060
250:$0.88832
500:$0.79380
1,000:$0.62370
SIS452DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK 0 3,000:$0.52920
6,000:$0.50274
15,000:$0.48195
30,000:$0.46872
75,000:$0.45360
SI4463BDY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫歐 @ 13.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 56nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)